| 利用扫描电子显微镜对BeO电路基片进行失效分析 |
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| 引用本文： | 王志红,常嗣和,包生祥,宁永功. 利用扫描电子显微镜对BeO电路基片进行失效分析[J]. 电子显微学报, 2002, 21(5): 792-793 |
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| 作者姓名： | 王志红 常嗣和 包生祥 宁永功 |
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| 作者单位： | 1. 电子科技大学材料分析中心,四川,成都,610054
2. 成都理工大学电镜室,四川,成都,610059 |
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| 摘 要： | 当今电子器件的发展趋势是高密度、多功能、快速化和大功率 ,因此散热问题成为影响功率衰退和器件寿命的关键因素。氧化铍陶瓷的热导率比三氧化二铝陶瓷高一个数量级 ,这是其最为可贵的特性 ,氧化铍陶瓷具有介电常数低、介质损耗小、抗热冲击性好等特点 ,是高频大功率薄膜电路基板的首选材料。薄膜电路导体材料为金 ,金的电阻温度系数小 ,对陶瓷基板有良好的附着性 ,另外为提高金与氧化铍之间的附着力 ,采用镍铬合金作为过渡层[1～ 3 ] 。材料和方法样品为 18ｍｍ× 10ｍｍ× 0 6ｍｍ的氧化铍陶瓷电路基片 ,制作电路的工艺流程为 :基片予处…
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| 关 键 词： | 扫描电子显微镜 BeO 电路基片 失效分析 氧化铍陶瓷 薄膜电路 |
Failure analysis of BeO ceramic circuit substrate |
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