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| 氮化硅超细粉原位生长“无缺陷”a—氮化硅晶须 | |
| 引用本文： | 莫艳,朱凯培.氮化硅超细粉原位生长“无缺陷”a—氮化硅晶须[J].硅酸盐学报,1995,23(4):373-378. |
| 作者姓名： | 莫艳 朱凯培 |
| 摘 要： | 研究了用加压氮化法（ｉｎｃｒｅａｓｉｎｇ ｐｒｅｓｓｕｒｅ ｎｉｔｒｉｄａｔｉｏｎ，简称ＩＰＮ法）制备高活性、高纯度的氮化硅超细粉。用这种超细粉在一定温度范围内原位生长出“无缺陷”的ａ－Ｓｉ３Ｎ４晶须，其截面直径×长的尺寸分别为（０．１￣０．３ｕｍ）×（１０￣３０ｕｍ）。在氮化硅基体中加入“无缺陷”ａ－ＳｉＮ４晶须后，材料的断裂韧性ＫＩｃ达１０．５±０．９ＭＰａ·ｍ＾１／２；室温强度ａｆＲＴ达９２ |
| 关 键 词： | 晶须 氮化硅 超细粉 原位生长 陶瓷 |
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