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| 用弹道电子发射显微术研究超薄金属硅化物/硅肖特基接触 | |
| 作者姓名： | 茹国平 屈新萍 竺士炀 李炳宗 |
| 作者单位： | 复旦大学电子工程系!上海200433 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(批准号69776005)和国家科委一比利时弗兰德科技部合作资助项目[Project Supported by National Natural Science Foundation of China Under Grant No．69776005 and by Cooperation Founda-tionBetweenScientificand Technical Ministies of China and Belgium]. |
| 摘 要： | 采用弹道电子发射显微术 ( BEEM)技术对超薄 Pt Si/Si、Co Si2 /Si肖特基接触特性进行了研究 ,并与电流 -电压 ( I- V)及电容 -电压 ( C- V)测试结果进行了对比 .研究了 Ar离子轰击对超薄Pt Si/n- Si肖特基接触特性的影响 .BEEM、I- V/C- V技术对多种样品的研究结果表明 ,I- V/C- V测试会由于超薄硅化物层串联电阻的影响而使测试结果产生严重误差 ;BEEM测试则不受影响 .随着离子轰击能量增大 ,肖特基势垒高度降低 ,且其不均匀性也越大 .用 BEEM和变温 I- V对超薄 Co Si2 /n- Si肖特基二极管的研究结果表明 ,变温 I- V测试可在一定程度上获得肖特基势垒 |
| 关 键 词： | 肖特基势垒 弹道电子显微术 硅化物 离子轰击 |
| 文章编号： | 0253-4177(2000)08-0778-08 |
| 修稿时间： | 1999-07-24 |
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