| 碳热还原法合成SiC供电参数的研究 |
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| 引用本文： | 陈杰,王晓刚. 碳热还原法合成SiC供电参数的研究[J]. 硅酸盐学报, 2010, 38(9) |
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| 作者姓名： | 陈杰 王晓刚 |
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| 作者单位： | 西安科技大学材料科学与工程学院,西安,710054 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金，陕西省教育厅专项项目 |
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| 摘 要： | 在碳热还原法合成SiC生产中,供电参数对SiC产品的产量、质量及能耗有重要影响。以SiC生产实测参数为基础,通过对SiC冶炼过程温度场的数值模拟,揭示了合成SiC的传热传质规律,建立了用数值模拟预测冶炼SiC供电参数的方法,准确预测了单热源炉合成SiC的供电时间为36h,表面负荷为11～13W/cm2,模拟结果得到了生产实践验证。
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| 关 键 词： | 碳化硅 碳热还原法 供电参数 数值模拟 温度场 |
POWER SUPPLYING PARAMETER IN SYNTHESIS OF SiC BY CARBOTHERMAL REDUCTION METHOD |
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| CHEN Jie,WANG Xiaogang. POWER SUPPLYING PARAMETER IN SYNTHESIS OF SiC BY CARBOTHERMAL REDUCTION METHOD[J]. Journal of The Chinese Ceramic Society, 2010, 38(9) |
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| Authors: | CHEN Jie WANG Xiaogang |
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