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| 砷预非晶制作结深小于0.25μm的浅结 | |
| 引用本文： | 林健,李明祥.砷预非晶制作结深小于0.25μm的浅结[J].微电子学,1992,22(5):30-33. |
| 作者姓名： | 林健 李明祥 |
| 作者单位： | 华晶公司中央研究所，华晶公司中央研究所，华晶公司中央研究所 江苏无锡 214035，江苏无锡 214035，江苏无锡 214035 |
| 摘 要： | 本文报道了As预非晶制作浅P~+n结,对As预非晶的能量和剂量的选择作了研究,并对常规炉退火(950℃,N_2,30m)和快速热退火(RTA,1050℃,10_s)作了比较。结果表明,A_s预非晶可有效地抑制B~+注入沟道效应,阻止B~+增强扩散,在常规条件下可以实现x_j<0.25μm,R_□<100Ω/□的源漏浅结,并已应用于1M位DRAM生产。 |
| 关 键 词： | 砷预非晶 砷 制备 浅结 退火 |
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