|
|||||
|
|
| 氧流量对ITO和ITO∶Zr薄膜性能的影响 | |
| 引用本文： | 张波,董显平,王新建,吴建生.氧流量对ITO和ITO∶Zr薄膜性能的影响[J].半导体光电,2008,29(1). |
| 作者姓名： | 张波 董显平 王新建 吴建生 |
| 基金项目： | 上海市应用材料研究与发展基金 |
| 摘 要： | 利用双靶共溅法在玻璃衬底上沉积了Zr掺杂ITO薄膜,对比研究了在不同氧流量下ITO和ITO∶Zr薄膜性能的变化.Zr的掺入促进薄膜晶化的同时也导致了(400)晶面取向的加强,ITO∶Zr比ITO薄膜具有较低的表面粗糙度.氧流量的上升降低了方阻和载流子浓度,ITO∶Zr薄膜具有更高的载流子浓度.一定范围的氧流量可以改善薄膜的可见光透过率,但过量的氧却使得薄膜的光学性能变差.通过直接跃迁的模型得出ITO∶Zr比ITO薄膜具有更宽的光学禁带.共溅法制备的ITO∶Zr薄膜比ITO薄膜表现出更好的光电性能. |
| 关 键 词： | ITO薄膜 锆 磁控溅射 氧流量 |
| 本文献已被 万方数据 等数据库收录！ | |