新型功率器件MCT的研究

探讨了新型功率器件ＣＭＴ（ＭＯＳ控制晶闸管）的参数设计和工艺设计及实施方法，通过计算机工艺模拟，采用ＳＤＢ（硅片直接健合），硅栅自对准工艺和多层介质隔离等技术，在实验室里制成了ＭＣＴ样品。测试结构表明，在－１２伏的栅偏压下能在５μｓ内关断４２Ａｃｍ＾２的阳极电流。