| 体特性高压硅整流元件设计制造的关键技术 |
| |
| 引用本文： | 徐传骧,董小兵,张少云.体特性高压硅整流元件设计制造的关键技术[J].电力电子技术,2003,37(1):66-69. |
| |
| 作者姓名： | 徐传骧 董小兵 张少云 |
| |
| 作者单位： | 西安交通大学,西安,710049 |
| |
| 摘 要： | 具有雪崩体特性击穿的高温高压大功率整流元件的设计和制造需要采用中子辐照单晶，并结合不同的结片结构选择不同的基区利用系数η。针对P^ -P—N—N^ 型和P^ —I—N^ 型结构设计改进扩散方法，选择合适的表面选型，并采用表面保护复合结构可以获得耐压温度特性优良的体特性器件。
|
| 关 键 词： | 高压硅整流元件 设计 制造 雪崩体特性 电力电子器件 |
| 文章编号： | 1000-100X(2003)01-0066-04 |
| 修稿时间： | 2002年1月30日 |
Key Technique for Designing and Fabricating the High-voltage Power Silicon Diode with Bulk Characteristic |
| |
| XU Chuan xiang,DONG Xiao bing,ZHANG Shao yun.Key Technique for Designing and Fabricating the High-voltage Power Silicon Diode with Bulk Characteristic[J].Power Electronics,2003,37(1):66-69. |
| |
| Authors: | XU Chuan xiang DONG Xiao bing ZHANG Shao yun |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | NTD rectifying device bulk Characteristic |
| 本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录！ |
