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| 长波长(1.0μm—1.7μm)InGaAs/InGaAsP/InP SAGM-APD 的研究 | |
| 引用本文： | 李石,陈德昭.长波长(1.0μm—1.7μm)InGaAs/InGaAsP/InP SAGM-APD 的研究[J].北京邮电大学学报,1987(4). |
| 作者姓名： | 李石 陈德昭 |
| 作者单位： | 北京邮电学院应用物理系，北京邮电学院应用物理系 |
| 摘 要： | 为了适应光纤通信系统迅速发展的需要,设计制做了一种适用于长波长(1.0μm—1.7μm)范围的雪崩光电二极管。器件是通过在 InP 层中的雪崩倍增作用和在 InGaAs 层中的吸收作用以及在这两层中间置入的 InGaAsP 四元过渡层,从而得到器件低暗电流和高速率的工作。在精确分析了影响器件工作状态的各种因素之后,给出了器件的最佳的设计,用液相外延的方法制做出了器件,并对器件特性进行了分析。 |
| 关 键 词： | 光电器件 光电探测器 雪崩二极管 SAGM-APD |
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