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| 34ns256k DRAM | |
| 作者姓名： | Kenji Natori 蔡菊荣 |
| 摘 要： | 文章叙述256K×1位MOS动态RAM,该存贮器采用MoSi_2栅工艺制作,并备有冗余单元,以改进成品率。RAM的典型CAS存取时间为34ns,有效功耗170mW(在5V Vcc和260ns周期时间下)。 高速工作是两个有贡献的因素作用的结果。一个因素是在应用MoSi_2栅工艺技术。一般为了欧姆/□的MoSi_2低薄层电阻减少 |
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