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| 分子束外延GaAs中的Sn受主态 | |
| 作者姓名： | 忻尚衡 L.F.Eastman |
| 作者单位： | 中国科学院上海冶金研究所，Cornell University |
| 摘 要： | 用4K光致发光研究了掺Sn分子束外延GaAs中Sn原子的占位.结果表明在固定As_4/Ga束流比下,高温生长会引起 GaAs:Sn外延层中 Sn受主态的增强.与之有关的1.507eV,1.35eV两发射峰分别为束缚在中性Sn受主上的电子空穴对的辐射复合(S_n~o,X)和自由电子与束缚空穴间的跃迁(D~o,S_n~o). |
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