| 脉冲电弧离子源镀膜均匀性的研究 |
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| 引用本文： | 蔡长龙,王季梅,杭凌侠,严一心,徐均琪.脉冲电弧离子源镀膜均匀性的研究[J].低压电器,2002(4):14-16. |
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| 作者姓名： | 蔡长龙 王季梅 杭凌侠 严一心 徐均琪 |
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| 作者单位： | 1. 西安交通大学,710049
2. 西安工业学院,710032 |
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| 基金项目： | 陕西省自然科学研究计划基金项目 ( 2 0 0 0C2 5 ) |
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| 摘 要： | 镀膜均匀性是脉冲真空电弧离子源应用需要解决的一个重要问题。本文首先分析了在脉冲真空电弧离子镀膜过程中 ,采用不同阴极尺寸、不同辅助阳极尺寸引起所镀膜层透过率曲线的改变 ,进而讨论了脉冲真空电弧离子源电极几何尺寸对膜厚均匀性的影响。在基片下加一个圆筒形负电位电极 ,实现了脉冲真空电弧离子源镀膜的均匀性。实验结果表明 ,采用这一技术 ,在 70mm范围内 ,基片透过率的相对变化可达到± 6.8%范围内
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| 关 键 词： | 脉冲电弧 离子源 镀膜 均匀性 几何尺寸 |
| 修稿时间： | 2002年2月27日 |
Study on the Deposition Uniformity of Pulsed Arc Ion Source |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | pulsed arc film deposition uniformity geometry size |
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