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CMOS片上电源总线ESD保护结构设计
引用本文:王怡飞,胡新伟,郭立. CMOS片上电源总线ESD保护结构设计[J]. 半导体技术, 2008, 33(6): 524-526
作者姓名:王怡飞  胡新伟  郭立
作者单位:中国科学技术大学,电子科学与技术系,合肥,230027;中国科学技术大学,电子科学与技术系,合肥,230027;中国科学技术大学,电子科学与技术系,合肥,230027
摘    要:随着集成电路制造技术的高速发展,特征尺寸越来越小,静电放电对器件可靠性的危害也日益增大,ESD保护电路设计已经成为IC设计中的一个重要部分.讨论了三种常见的CMOS集成电路电源总线ESD保护结构,分析了其电路结构、工作原理和存在的问题,进而提出了一种改进的ESD保护电源总线拓扑结构.运用HSPICE仿真验证了该结构的正确性,并在一款自主芯片中实际使用,ESD测试通过±3 000 V.

关 键 词:静电放电  电源总线  保护电路

Power Bus ESD Protection Structure Design in CMOS IC
Wang Yifei,Hu Xinwei,Guo Li. Power Bus ESD Protection Structure Design in CMOS IC[J]. Semiconductor Technology, 2008, 33(6): 524-526
Authors:Wang Yifei  Hu Xinwei  Guo Li
Affiliation:Wang Yifei,Hu Xinwei,Guo Li (Dept.of Electronic Science , Technology,USTC,Hefei 23007,China)
Abstract:With the development of VLSI process,the character dimension is getting smaller and smaller while the damage of electrostatic discharge is markedly increasing in the MOS device reliability,ESD protection circuit becomes an important part of IC design.Three common power bus ESD protection structures in CMOS IC were discussed,the circuit structure and working theories were analyzed,an improved power bus ESD protection structure was put forward.The simulation result with HSPICE proves its correction and the st...
Keywords:ESD  power bus  protection circuit  
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