| 一维0.18 μm CMOS光电二极管量子效率的研究与模拟 |
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| 引用本文： | 颜永红, 汪立,.一维0.18 μm CMOS光电二极管量子效率的研究与模拟[J].电子器件,2008,31(4). |
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| 作者姓名： | 颜永红 汪立 |
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| 作者单位： | 湖南大学物理与微电子科学学院,长沙,410082;湖南大学物理与微电子科学学院,长沙,410082 |
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| 摘 要： | 为了建立更精确的CMOS光电二极管SPICE模型,使之在像素电路模拟中能够更好地反映实际的光电转换物理现象.使用连续性方程和不同的边界条件对CMOS光电二极管建立了一维物理模型,然后代入普通 CMOS 0.18工艺参数在温度为300 K、反偏电压为2.2 V时,对N-diff/P-epi, N-well/P-epi两种结构的二极管量子效率进行了模拟.其中考虑了表面复合速率、外延层厚度、P 衬底与P外延同质结等因素对模拟结果的影响.在此基础上,还对CMOS光栅二极管的量子效率进行了计算. 模拟结果符合这些器件已知的特性.
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| 关 键 词： | CMOS 光电二极管 光栅二极管 量子效率 数值模拟 |
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