| 深亚微米MOSFET模型研究进展 |
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| 引用本文： | 周浩华 姚立真. 深亚微米MOSFET模型研究进展[J]. 电子科技, 1997, 0(2): 11-14 |
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| 作者姓名： | 周浩华 姚立真 |
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| 作者单位： | 西安电子科技大学(周浩华，郝跃)，西安电子科技大学微电子所(姚立真) |
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| 摘 要： | 文中对在深亚微米ＭＯＳＦＥＴ的器件模型研究基础上，提出了研究ＭＯＳＦＥＴ模型值得注意的问题，并对如何建立深亚微米ＭＯＳＦＥＴ模型作出了有益的探讨。
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| 关 键 词： | 深亚微米 MOSFET 器件模型 集成电路 制造工艺 |
The Progress of the Deep Submicron MOSFET Model Research |
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| [TP,+mm,BP#]Zhou Haohua Yao Lizhen Hao Yue. The Progress of the Deep Submicron MOSFET Model Research[J]. Electronic Science and Technology, 1997, 0(2): 11-14 |
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| Authors: | [TP +mm BP#]Zhou Haohua Yao Lizhen Hao Yue |
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| Affiliation: | [TP1,+2mm,BP#]Zhou Haohua Yao Lizhen Hao Yue |
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| Abstract: | This paper deals with the problems on the MOSFET model research based on the reasearch in the deep submicron MOSFET device model, and presents some suggestions on how to construct deep submicron MOSFET model. |
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| Keywords: | deep submicron MOSFET device model |
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