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纳米晶粒受控生长抑制PZNT铁电薄膜中异相形成
引用本文:万尤宝 张建新 袁国祥 杨培志 杨辉. 纳米晶粒受控生长抑制PZNT铁电薄膜中异相形成[J]. 纳米科技, 2006, 3(5): 34-38,46
作者姓名:万尤宝 张建新 袁国祥 杨培志 杨辉
作者单位:[1]浙江大学材料与化工学院,浙江杭州300200 [2]嘉兴学院先进材料研究所,浙江嘉兴314001 [3]云南昆明物理研究所,云南昆明650223
基金项目:国防“973”重大项目,浙江省自然科学基金,嘉兴市重点科技计划和归国留学人员基金
摘    要:在LaAlO3(001)、MgO(001)、SrTiO3(001)衬底以及SrTiO3(001)/PZT(001)种膜上用液相外延方法生长了PZNT薄膜。生长结果表明:在LaAlO3(001)基片PZNT晶粒以三维岛状自发生长。薄膜中有大量的焦绿石异相;在MgO(001)和SrlriO3(001)衬底上,为三维岛状异质外延生长。薄膜中焦绿石异相几乎消失;引入[001]取向的PZT种膜后,岛状三维生长变为二维生长,显著改善了外延膜的质量,获得了完整的PZNT膜。分析了衬底取向对紧邻层纳米尺寸范围的晶粒形成、薄膜晶粒的发育、克服薄膜中异相形成等的影响,总结了获得完整PZNT薄膜的生长条件。

关 键 词:铁电薄膜 晶粒 种膜 液相外延
文章编号:1812-1918(2006)05-0034-06
收稿时间:2006-08-16

The Controlled Growth of Nanograde Grain Restraining the Form of Disparate Phase
WAN You-bao, ZHANG Jian-xin, YUAN Guo-xiang, YANG Pei-zhi, YANG Hui. The Controlled Growth of Nanograde Grain Restraining the Form of Disparate Phase[J]. , 2006, 3(5): 34-38,46
Authors:WAN You-bao   ZHANG Jian-xin   YUAN Guo-xiang   YANG Pei-zhi   YANG Hui
Abstract:
Keywords:ferroelectric film   grain   buffer   liquid phase epitaxy
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