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纳米级线宽标准样片的设计与制备
引用本文:韩志国,李锁印,冯亚南,赵琳,吴爱华. 纳米级线宽标准样片的设计与制备[J]. 计算机与数字工程, 2021, 49(4): 664-668. DOI: 10.3969/j.issn.1672-9722.2021.04.011
作者姓名:韩志国  李锁印  冯亚南  赵琳  吴爱华
作者单位:中国电子科技集团公司第十三研究所 石家庄 050051
摘    要:介绍了纳米级线宽标准样片的用途及其在校准扫描电子显微镜中存在的问题,设计了具有快速循迹结构的线宽标准样片,采用电子束光刻工艺制作了标称宽度为25nm~200nm的线宽样片.以50nm和200nm线宽为例对样片的线宽偏差、线边缘粗糙度、线宽均匀性和稳定性进行了考核.结果表明,标称值50nm~200nm的样片线宽值与设计值...

关 键 词:线宽标准样片  电子束  线宽偏差  线边缘粗糙度  均匀性  稳定性

Design and Development of Nanometer Line Width Standard
HAN Zhiguo,LI Suoyin,FENG Ya'nan,ZHAO Lin,WU Aihua. Design and Development of Nanometer Line Width Standard[J]. Computer and Digital Engineering, 2021, 49(4): 664-668. DOI: 10.3969/j.issn.1672-9722.2021.04.011
Authors:HAN Zhiguo  LI Suoyin  FENG Ya'nan  ZHAO Lin  WU Aihua
Abstract:
Keywords:
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