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| 纳米硅二极管的电输运特性 | |
| 引用本文： | 刘明 余明斌. 纳米硅二极管的电输运特性[J]. 电子学报, 1997, 25(11): 72-74 |
| 作者姓名： | 刘明 余明斌 |
| 作者单位： | 北京航空航天大学非晶态物理研究室 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金,中科院半导体所超晶格实验室资助 |
| 摘 要： | 用ＰＥＣＶＤ法在Ｓｉ衬底上沉积了纳米硅（ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ）薄膜，其室温暗电导可达１０＾３－１０＾－１Ω＾－１ｃｍ＾－１，高于本征单晶硅的电导，将其制成遂道二极管，其Ｉ－Ｖ曲线在７７Ｋ呈现出量子台阶，对这一新颖物理现象进行了定性解释。 |
| 关 键 词： | 量子点 共振隧穿 量子台阶 纳米 硅二极管 硅 |
Electrical Transporting Properties of Hydrogenated Nanocrystalline Silicon DiodeS |
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| Abstract: | |
| Keywords: | Quantum dots Resonant tunneling Quantum staircase |
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