| 化学机械抛光的理论模型研究综述 |
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| 引用本文： | 黄传锦,周海,陈西府. 化学机械抛光的理论模型研究综述[J]. 机械设计与制造, 2010, 0(11) |
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| 作者姓名： | 黄传锦 周海 陈西府 |
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| 基金项目： | 江苏省自然科学基础研究质目，江苏省科技厅科技攻关项目，盐城工学院应用基础研究项目 |
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| 摘 要： | 化学机械抛光(Chemical Mechanical Polishing,CMP)是当今唯一能够提供全局平面化的技术,其抛光机理的研究是当前的热点.综述了考虑抛光液和抛光垫特性的抛光机理模型,分析了各模型的相关特点,最后对CMP模型的发展和研究方向提出展望.
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| 关 键 词： | 化学机械抛光 平坦化 抛光率 抛光垫 |
Study the chemical mechanical polishing on sapphire substrate |
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| HUANG Chuan-jin,ZHOU Hai,CHEN Xi-fu. Study the chemical mechanical polishing on sapphire substrate[J]. Machinery Design & Manufacture, 2010, 0(11) |
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| Authors: | HUANG Chuan-jin ZHOU Hai CHEN Xi-fu |
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