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DOI
责任编辑
分类号
杂志ISSN号
SOS膜的铝自掺杂剖面
作者姓名:
陈庆贵
蔡希介
史日华
王其闵
陆东元
作者单位:
中国科学院上海冶金研究所(陈庆贵,蔡希介,史日华,王其闵),上海计量局(陆东元)
摘 要:
用SIMS技术对表面覆盖金的SOS片进行了铝自掺杂剖面研究.结果表明,不同工艺对SOS膜的铝自掺杂剖面曲线影响很大.背面封闭的SOS片的铝自掺杂剖面曲线十分陡削,过渡层厚度为450-750A;背面不封闭的SOS片的铝自掺杂剖面曲线不陡削,过渡层厚度为1200-1800A.同时,在过渡层以外背面不封闭的 SOS片中的铝杂质含量比背面封闭的 SOS片高很多.讨论了自掺杂形成的原因并对上述实验结果提出了解释.
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