| 薄二氧化硅MOS电容电离辐射陷阱电荷研究 |
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| 引用本文： | 刘忠立.薄二氧化硅MOS电容电离辐射陷阱电荷研究[J].半导体学报,2001,22(7):904-907. |
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| 作者姓名： | 刘忠立 |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所传感技术国家实验室!北京100083 |
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| 摘 要： | 采用高频 C- V曲线方法 ,研究了 5 0 nm及 15 nm MOS电容电离辐射空穴陷阱及界面态的建立过程 .二种样品电离辐射空穴陷阱电荷密度在 1× 10 3Gy(Si)剂量下近乎相同 ,而在大于 3× 10 3Gy(Si)剂量下 ,5 0 nm MOS电容的电荷密度约为 15 nm MOS电容的 2倍 .利用电离辐射后的隧道退火效应 ,计算出二种样品电离辐射陷阱电荷在Si- Si O2 界面附近分布的距离均约为 4nm .
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| 关 键 词： | MOS电容 电离辐射 陷阱电荷 |
| 文章编号： | 0253-4177(2001)07-0904-04 |
| 修稿时间： | 2000年7月10日 |
Study on Ionizing Radiation Trapped Charge in Thin SiO2 MOS Capacitors |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | MOS capacitor ionizing radiation trapped charge |
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