| 基于准浮栅技术的超低压运算放大器 |
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| 引用本文： | 杨银堂,任乐宁,付俊兴. 基于准浮栅技术的超低压运算放大器[J]. 西安电子科技大学学报(自然科学版), 2005, 32(4): 501-503 |
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| 作者姓名： | 杨银堂 任乐宁 付俊兴 |
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| 作者单位： | (西安电子科技大学 微电子研究所，陕西 西安 710071) |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目（90207022） |
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| 摘 要： | 分析了准浮栅晶体管的工作原理、电气特性及其等效电路，基于准浮栅PMOS晶体管，设计了超低压低功耗运算放大器．基于台积电的0.25μm CMOS工艺，利用Hspice对所设计的运放进行了模拟仿真．仿真结果显示，在0.8V的单源电压下，运算放大器的最大开环增益为76.5dB，相位裕度为62°，单位增益带宽为2.98MHz，功耗仅为9.45μW．
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| 关 键 词： | 准浮栅 超低压 运算放大器 CMOS |
| 文章编号： | 1001-2400（2005）04-0501-03 |
| 收稿时间： | 2004-08-26 |
| 修稿时间： | 2004-08-26 |
Ultra-low voltage operational amplifier based on quasi-floating gate transistors |
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| YANG Yin-tang,REN Le-ning,FU Jun-xing. Ultra-low voltage operational amplifier based on quasi-floating gate transistors[J]. Journal of Xidian University, 2005, 32(4): 501-503 |
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| Authors: | YANG Yin-tang REN Le-ning FU Jun-xing |
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| Affiliation: | (Research Inst. of Microelectronics, Xidian Univ., Xi′an 710071， China) ; |
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| Abstract: | The fundamental principle of quasi-floating gate transistors, along with the electrical characteristics and equivalent circuits, are discussed. An ultra-low voltage operational amplifier is proposed using the PMOS quasi-floating gate transistors. Based on the TSMC 0.25μm CMOS process, the whole circuit is simulated by using the Hspice simulator. The simulation result shows that, with a single power supply of 0.8V, the maximal open-loop gain of the amplifier is 76.5dB, the phase margin is 62°, the unit gain band width is 2.98MHz and the power dissipation is only 9.45μW. |
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| Keywords: | quasi-floating gate ultra-low voltage operational amplifier CMOS |
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