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硅中无位错扩散技术

作者姓名：	陈新

摘要：	在硅单晶中进行杂质扩散时,若衬底晶体为无位错晶体,则杂质扩散是在晶体中引入位错等缺陷的重要原因,引入的缺陷与掺杂浓度有关,尤其是在硅中接近杂质
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