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SiPM电子学模型的建立与参数提取
引用本文:袁俊,胡小波,梁琨,杨茹,韩德俊. SiPM电子学模型的建立与参数提取[J]. 核电子学与探测技术, 2010, 30(10)
作者姓名:袁俊  胡小波  梁琨  杨茹  韩德俊
作者单位:北京师范大学核科学与技术学院,北京,100875;北京师范大学核科学与技术学院,北京,100875;北京师范大学核科学与技术学院,北京,100875;北京师范大学核科学与技术学院,北京,100875;北京师范大学核科学与技术学院,北京,100875
基金项目:国家自然科学基金资助项目 
摘    要:以SPAD等效电路为基础建立了简单实用的SiPM的电子学模型,对模型中各电学参数及其对器件性能的影响进行了详细探讨,并以日本滨松公司的MPPC器件为例介绍了模型参数的提取方法。该电子学模型可应用于SiPM器件性能优化和前端电子学设计。

关 键 词:电子学模型  参数提取  SiPM  SPAD  MPPC

Modeling and Parameters Extraction Procedure of a Silicon Photomultiplier (SiPM)
YUAN Jun,HU Xiao-bo,LIANG Kun,YANG Ru,HAN De-jun. Modeling and Parameters Extraction Procedure of a Silicon Photomultiplier (SiPM)[J]. Nuclear Electronics & Detection Technology, 2010, 30(10)
Authors:YUAN Jun  HU Xiao-bo  LIANG Kun  YANG Ru  HAN De-jun
Abstract:
Keywords:SiPM  SPAD  MPPC
本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录!
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