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一种结构简单的高精确度带隙基准源设计
引用本文:张泽伟,宋树祥,蒋品群,庞中秋. 一种结构简单的高精确度带隙基准源设计[J]. 太赫兹科学与电子信息学报, 2020, 18(2): 345-349
作者姓名:张泽伟  宋树祥  蒋品群  庞中秋
作者单位:College of Electronic Engineering,Guangxi Normal University,Guilin Guangxi 541004,China
基金项目:国家自然科学基金资助项目(61361011);广西自然科学基金资助项目(2017GXNSFAA198363)
摘    要:设计了一款快速启动、高稳定性的实用型带隙基准电压源。基准源电路基于110 nm的CMOS标准工艺实现,使用Cadence软件进行仿真。仿真表明,在室温下,电源电压为3.3 V时,输出基准电压为1.2 V;在-40 ℃~85 ℃范围内温度漂移系数为33 ppm/℃;电路启动时间为0.5 μs;电源电压抑制比在低频时达到-61 dB;功耗为0.967 mW;版图面积为50 μm×180 μm。该电路结构简单,易于集成,可应用于高速、高精确度的数模转换器(DAC)。

关 键 词:带隙基准源;互补金属氧化物半导体;温度系数;电源抑制比
收稿时间:2018-09-26
修稿时间:2018-12-05

Design of a simple structure bandgap reference with high precision
ZHANG Zewei,SONG Shuxiang,JIANG Pinqun,PANG Zhongqiu. Design of a simple structure bandgap reference with high precision[J]. Journal of Terahertz Science and Electronic Information Technology, 2020, 18(2): 345-349
Authors:ZHANG Zewei  SONG Shuxiang  JIANG Pinqun  PANG Zhongqiu
Abstract:
Keywords:
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