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| Sol—gel法制备纳米硅碳膜的研究 | |
| 引用本文： | 张洪涛,徐重阳.Sol—gel法制备纳米硅碳膜的研究[J].陶瓷工程,2000,34(1):4-6,22. |
| 作者姓名： | 张洪涛 徐重阳 |
| 摘 要： | 以长链甲基三甲氧基硅烷〖ＣｎＨ２ｎ＋１Ｓｉ（ＯＣＨ３）〗和正硅酸惭脂（ＴＥＯＳ）身份种有机物为起始原料，用溶胶－产胶法制备也ＳｉＣ膜。初步讨论了溶胶形成过程中水中氢键、酸及碱的作用。利用Ｒａｍａｎ光谱和透射电镜（ＴＥＭ）结合ＸＰＳ等测试方法对制得的膜进行了结构、颗粒尺寸及化学成分等的研究，根据分析和观察结果，膜由颗凿及寸在直径为２ｎｍ－４ｎｍ，长度为２０ｎｍ－４０ｎｍ左右的ＳｉＣ纳米晶须构成，纯度 |
| 关 键 词： | 纳米晶须 溶胶凝胶法 碳化硅 薄膜 |
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