| MBE生长的跨导为186mS/mm的AlGaN/GaN HEMT |
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| 引用本文： | 王晓亮,胡国新,王军喜,刘宏新,孙殿照,曾一平,李晋闽,孔梅影,林兰英,刘新宇,刘键,钱鹤.MBE生长的跨导为186mS/mm的AlGaN/GaN HEMT[J].固体电子学研究与进展,2003,23(4):484-488. |
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| 作者姓名： | 王晓亮 胡国新 王军喜 刘宏新 孙殿照 曾一平 李晋闽 孔梅影 林兰英 刘新宇 刘键 钱鹤 |
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| 作者单位： | 1. 中国科学院半导体研究所材料中心,北京,100083
2. 中国科学院微电子中心,北京,100029 |
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| 基金项目： | 中国科学院知识创新工程项目，国家自然科学基金，国家高技术研究发展计划(863计划)，，G20000683，，，， |
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| 摘 要： | 用分子束外延 ( MBE)技术研制出了 Al Ga N/Ga N高电子迁移率晶体管 ( HEMT)材料 ,其室温迁移率为 10 35cm2 /V· s、二维电子气浓度为 1.0× 10 13 cm - 2 ;77K迁移率为 2 6 53cm2 /V· s、二维电子气浓度为 9.6× 10 12 cm- 2 。用此材料研制了栅长为 1μm、栅宽为 80μm、源 -漏间距为 4μm的 Al Ga N/Ga N HEMT,其室温最大非本征跨导为 186 m S/mm、最大漏极饱和电流密度为 92 5m A/mm、特征频率为 18.8GH z。另外 ,还研制了具有 2 0个栅指 (总栅宽为 2 0× 80μm =1.6 mm )的大尺寸器件 ,该器件的最大漏极饱和电流为 1.33A。
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| 关 键 词： | 高电子迁移率晶体管 氮化镓 功率器件 场效应晶体管 分子束外延 |
| 文章编号： | 1000-3819(2003)04-484-05 |
| 修稿时间： | 2003年5月26日 |
MBE-grown AlGaN/GaN HEMTs with 186 mS/mm Transconductance |
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| WANG Xiaoliang HU Guoxin WA NG Junxi LIU Hongxin SUN Dianzhao,ZENG Yiping LI Jinmin KONG Meiyin g LIN Lanying.MBE-grown AlGaN/GaN HEMTs with 186 mS/mm Transconductance[J].Research & Progress of Solid State Electronics,2003,23(4):484-488. |
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| Authors: | WANG Xiaoliang HU Guoxin WA NG Junxi LIU Hongxin SUN Dianzhao ZENG Yiping LI Jinmin KONG Meiyin g LIN Lanying |
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| Abstract: | AlGaN/GaN high el ectron mobility transistor (HEMT) materi als are grown using a home-made molecula r beam epitaxy (MBE) system, and the ass ociated HEMTs are fabricated and charact erized. The HEMT material has a typical room and 77 K temperature mobility of 1 035 cm 2/V·s and 2 653 cm 2/V·s at a sheet electron concentration of 1.0×10 13 c m -2 and 9.6×10 12 cm -2 , respec ti vely. For the HEMTs fabricated using the material, a peak extrinsic transconduct ance of 186 mS/mm and a maximum saturati on drain-current density of 925 mA/mm ar e obtained on devices with gate length a nd width of 1 μm and 80 μm,respectively. The unit-current gain cut-off frequency f t of the devices is about 18.8 GHz. In addition, large size HEMTs with 20 f ingers are fabricated, whose maximum dra in current is about 1.33 A. |
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| Keywords: | HEMT GaN power device FET MBE |
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