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| 一种适用于高低压电路单片集成的LDMOS器件 | |
| 引用本文： | 陈利,李开航,郭东辉. 一种适用于高低压电路单片集成的LDMOS器件[J]. 微电子学, 2006, 36(6): 837-841,844 |
| 作者姓名： | 陈利 李开航 郭东辉 |
| 作者单位： | 1. 厦门大学,物理系,福建,厦门,361005;厦门元顺微电子技术有限公司,福建,厦门,361005 2. 厦门大学,物理系,福建,厦门,361005 3. 厦门大学,物理系,福建,厦门,361005;厦门大学,电子工程系,福建,厦门,361005;厦门元顺微电子技术有限公司,福建,厦门,361005 |
| 基金项目： | 国家"火炬计划";福建省自然科学基金 |
| 摘 要： | 利用RESURF与场板结构结合的技术,设计了一种可以兼容低压BiCMOS工艺的LD-MOS器件。该器件的漂移区长度l≤60μm,就可实现600 V以上的耐压,适用于高低压单片集成电路芯片开发。基于一款荧光灯交流电子镇流器驱动芯片的高低压集成电路功能及其器件耐压要求,介绍了该LDMOS器件的结构和设计方法。采用ATHENA(工艺模拟)和ATLAS(器件模拟)工具,分析优化影响LDMOS器件耐压的关键参数;最后,对实际芯片的PCM器件参数进行了测试和分析。 |
| 关 键 词： | 高压器件 LDMOS RESURF 场板 |
| 文章编号： | 1004-3365（2006）06-0837-05 |
| 收稿时间： | 2006-04-25 |
| 修稿时间： | 2006-04-252006-08-12 |
Design of an LDMOS Device for Monolithic High/Low Voltage IC''''s |
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| CHEN Li,LI Kai-hang,GUO Dong-hui. Design of an LDMOS Device for Monolithic High/Low Voltage IC''''s[J]. Microelectronics, 2006, 36(6): 837-841,844 | |
| Authors: | CHEN Li LI Kai-hang GUO Dong-hui |
| Affiliation: | 1. Dept. of Phys. , Xiamen Univ. , Xiamen, Fujian 361005, P. R. China; 2. Dept. of Elec. Engineer. , Xiamen Univ. , Xiamen, Fujian 361005, g. R. China; 3. Xiamen Unisonic Technologies Co. Ltd. , Xiamen, Fujian 361005, P. R. China |
| Abstract: | Using RESURF and field-plate technology,an LDMOS device compatible with low voltage BiCMOS process is designed.Having a breakdown voltage higher than 600 V,the device can be used as a high voltage device for monolithic high/low voltage IC's.The structure of the LDMOS and its design method are described based on an actual chip.Parameters sensitive to LDMOS's breakdown voltage are analyzed and optimized using ATHENA and ATLAS tools. |
| Keywords: | High-voltage device LDMOS RESURF Field-plate |
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