| 用Sol─Gel法制备PZT铁电陶瓷及薄膜 |
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| 引用本文： | 阎培渝,苏涛,李龙土,张孝文. 用Sol─Gel法制备PZT铁电陶瓷及薄膜[J]. 功能材料, 1995, 0(2) |
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| 作者姓名： | 阎培渝 苏涛 李龙土 张孝文 |
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| 作者单位： | 清华大学材料科学与工程系 |
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| 摘 要： | 用Ｓｏｌ－Ｇｅｌ法制备了Ｐｂ（Ｚｒ＿（０．５）Ｔｉ＿（０．５））Ｏ＿３（ＰＺＴ）铁电陶瓷与薄膜，观察了它们的结晶情况并测定了它们的电学性能。利用Ｓｏｌ－Ｇｅｌ法，可降低ＰＺＴ陶瓷粉料的预烧温度约２００℃，所得陶瓷致密，晶粒均匀；具有较好的介电性能。ＰＺＴ陶瓷显示弥散相变特征。ＰＺＴ薄膜的晶化受基底影响很大。基底晶格越完整，与ＰＺＴ薄膜的晶格失配率越小，ＰＺＴ薄膜的晶化就越好。采用ＰｂＴｉＯ＿３过渡层促进ＰＺＴ薄膜在镀铂硅片上晶化。ＰｂＴｉＯ＿３过渡层与ＰＺＴ薄膜构成串联电路。其表现电学性能与相应的ＰＺＴ体材料相近。
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| 关 键 词： | Sol－Gel法，PZT，陶瓷，薄膜 |
Preparation and Characterization of Sol-Gel Derived PZT Bulk Ceramics and Thin Films |
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| Yan Peiyu,SuTao,Li Longtu,Zhang Xiaowen. Preparation and Characterization of Sol-Gel Derived PZT Bulk Ceramics and Thin Films[J]. Journal of Functional Materials, 1995, 0(2) |
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| Authors: | Yan Peiyu SuTao Li Longtu Zhang Xiaowen |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Sol-Gel processing PZT ceramic thin film |
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