| 氧分压强和基片温度对脉冲激光沉积的ZnO：AI膜性能的影响 |
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| 引用本文： | 葛水兵 程珊华 宁兆元 沈明荣 甘肇强 周咏东 褚君浩. 氧分压强和基片温度对脉冲激光沉积的ZnO：AI膜性能的影响[J]. 功能材料, 2000, 31(Z1): 82-83 |
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| 作者姓名： | 葛水兵 程珊华 宁兆元 沈明荣 甘肇强 周咏东 褚君浩 |
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| 作者单位： | 葛水兵（苏州大学薄膜材料实验室，苏州 215006）;程珊华（苏州大学薄膜材料实验室，苏州 215006）;宁兆元（苏州大学薄膜材料实验室，苏州 215006）;沈明荣（苏州大学薄膜材料实验室，苏州 215006）;甘肇强（苏州大学薄膜材料实验室，苏州 215006）;周咏东（苏州大学薄膜材料实验室，苏州 215006）;褚君浩（中国科学院上海技术物理研究所，上海 200083） |
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| 摘 要： | 利用脉冲激光法制备了ZnOAl透明导电膜。通过对膜进行霍尔系数测量及SEM、xRD测试分析，详细研究了沉积时的基片温度、氧分压强对膜的透光率和电阻率的影响。结果表明基片温度、氧分压强影响着膜的电学、光学性能和膜的结晶状况。从电学分析看出基片温度从200℃升到300℃过程中，膜的载流子浓度、透光率和光隙能相应zk大。在氧分压强为0Pa、基片温度为400℃下沉积的膜，其电阻率具有较低值，且在可见光区其透光率约为90％。
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| 关 键 词： | 脉冲激光沉积；ZnO膜；基片温度；氧分压强 |
| 文章编号： | 1001-9731(2000)zk刊-0082-02 |
| 修稿时间： | 1999-03-11 |
ffects of Oxygen Pressure and Substrate Temperature n ZnO:Al Film by Pulsed Laser Deposition |
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