Pb_(1-x)Sn_xTe中的cd扩散

扩散制结方法很多,其中包括杂质扩散,组分扩散(CID,退火)等。 因为采用组份Te过量为源材料生长的非掺杂Pb_(1-x)Sn_xTe单晶,是空穴浓度很高的p-型材料,所以杂质扩散制造p-n结,关键是选取合适的施主杂质。目前已确定的元索有Ⅱ族——Zn、Cd;Ⅲ族——Al、Ga、In;V族——Bi、Sb等。其中采用Cd、Sb杂质源已获得性能较好的LTT激光器件。 本文报导Cd在Pb_(0.8)Sn_(0.2)Te中扩散的一些实验结果。