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| 高精度单晶硅互换热敏电阻 | |
| 引用本文： | 李国华,付绮英,韦风辉,柳培立,吕红,张昭,王秀珍.高精度单晶硅互换热敏电阻[J].传感器与微系统,1987(Z1). |
| 作者姓名： | 李国华 付绮英 韦风辉 柳培立 吕红 张昭 王秀珍 |
| 作者单位： | 中科院新疆物理所 (李国华，付绮英，韦风辉，柳培立，吕红，张昭)，中科院新疆物理所(王秀珍) |
| 摘 要： | <正> 市售单晶硅通常都掺有一定数量的浅施主或浅受主杂质。由于这些杂质在禁带中引入的能级距带边很近(0.045eV),在常温下这些能级上的电子(或空穴)都已电离成为自由载流子。因此这种单晶硅的电阻率随温度的变化不大。但若在这种单晶硅中再掺入一定数量的 |
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