| 高数值孔径光刻中衬底反射率的控制 |
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| 引用本文： | 周远,刘安玲,刘光灿. 高数值孔径光刻中衬底反射率的控制[J]. 量子电子学报, 2011, 28(6): 730-736. DOI: 10.3969/j.issn.1007-5461.2011.06.015 |
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| 作者姓名： | 周远 刘安玲 刘光灿 |
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| 作者单位： | 1 长沙学院电子与通信工程系， 湖南 长沙 410003;2 长沙学院光电信息技术创新团队，湖南 长沙 410003 |
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| 基金项目： | 长沙学院引进人才科研启动基金(SF080102);长沙学院光电信息技术创新团队科研基金资助项目(10700-99008) |
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| 摘 要： | 高数值孔径（NA）光刻中，需要控制衬底反射率以减小薄膜干涉对光刻性能的影响。采用薄膜光学方法研究了高NA光刻中底层抗反膜（BARC）对衬底反射率的控制。针对硅基底对单层和双层BARC进行优化以探索满足高NA光刻要求的BARC材料光学参数容限。结果表明，当NA超过0.8时，单层BARC无法控制衬底反射率而有必要采用双层BARC。横电（TE）比横磁（TM）偏振光的衬底反射率更难以控制。NA越大，单层BARC折射系数的优化值越大。双层BARC中的顶层膜应采用低吸收率材料而底层膜应采用高吸收率材料。本研究可为高NA光刻中的BARC材料研制及衬底反射率控制提供理论依据。
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| 关 键 词： | 薄膜光学 衬底反射率 底层抗反膜优化 高数值孔径光刻 |
| 收稿时间： | 2011-02-14 |
| 修稿时间： | 2011-03-25 |
Control of substrate reflectivity in hyper numerical aperture lithography |
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| ZHOU Yuan,LIU An-ling,LIU Guang-can. Control of substrate reflectivity in hyper numerical aperture lithography[J]. Chinese Journal of Quantum Electronics, 2011, 28(6): 730-736. DOI: 10.3969/j.issn.1007-5461.2011.06.015 |
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| Authors: | ZHOU Yuan LIU An-ling LIU Guang-can |
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| Affiliation: | 1 Department of Electronic and Communication Engineering, Changsha University , Changsha 410003, China;2 Optoelectronic Information Technology Innovative Research Team, Changsha University, Changsha 410003, China |
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| Abstract: | Substrate reflectivity needs to be controled to reduce the impact of thin-film interference on lithography performance in hyper numerical aperture(NA) lithography.Based on thin film optics method, the control of substrate reflectivity with bottom antireflection coating(BARC) was investigated for hyper-NA lithography.Single-layer and dual-layer BARC on a silicon substrate were optimized to investigate the margins of BARC's optical parameters which meet the requirements of hyper-NA lithography.It is found tha... |
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| Keywords: | thin film optics substrate reflectivity bottom antireflection coating optimization hypernumerical-aperture lithography |
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