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| 3～5微米(Hg·Cd)Te晶体材料一些光电特性的研究 | |
| 引用本文： | 谢茂碧,郭惠芬.3～5微米(Hg·Cd)Te晶体材料一些光电特性的研究[J].激光与红外,1981(5). |
| 作者姓名： | 谢茂碧 郭惠芬 |
| 作者单位： | 华北光电所，华北光电所 |
| 摘 要： | 本文对3～5微米(Hg·Cd)Te原生晶片在不经过复杂处理的情况下,能够测试出晶片有明显的吸收缘存在,由吸收缘可以确定截止波长λ_c,从而确定禁带宽度E_g,因为半导体(Hg·Cd)Te的禁带宽度和组份(x)温度(T)可以用半经验公式描述,可以计算出原生晶片的x值,同时将测试过吸收缘的晶片测电学参数,经这样选择过的晶片能制得波段合适,探测率较高的器件。 |
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