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CCTS结构GaAs/AlGaAs单量子阱双稳态激光器
引用本文:李建蒙,朱龙德,王启明.CCTS结构GaAs/AlGaAs单量子阱双稳态激光器[J].半导体学报,1990,11(6):481-483.
作者姓名:李建蒙  朱龙德  王启明
作者单位:中国科学院半导体研究所 北京 (李建蒙,朱龙德),中国科学院半导体研究所 北京(王启明)
摘    要:本文报道了CaAs/AlGaAs单量子阱(SQW)双区共腔(CCTS)结构的双稳态激光器,给出了增益区和吸收区分别注入电流时的三端器件结构。并在脉冲工作下得到了双稳特性。

关 键 词:半导体激光器  双稳态  单量子阱

GaAs/AlGaAs Single Quantum Well (SQW) Bistable Laser with CCTS Structure
Li Jianmeng/Institute of Semiconductors,Academia SinicaZhu Longde/Institute of Semiconductors,Academia SinicaWang Qiming/Institute of Semiconductors,Academia Sinica.GaAs/AlGaAs Single Quantum Well (SQW) Bistable Laser with CCTS Structure[J].Chinese Journal of Semiconductors,1990,11(6):481-483.
Authors:Li Jianmeng/Institute of Semiconductors  Academia SinicaZhu Longde/Institute of Semiconductors  Academia SinicaWang Qiming/Institute of Semiconductors  Academia Sinica
Abstract:This letter reports a GaAs/AlGaAs single quantum well bistable laser with CCTS structure.The bistability is demonstrated in the laser by injected currents into gain section and losssection, respectively.
Keywords:Semiconductor Laser  Bistable  Single Quantum-Well  
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