| 使用SEM分析GaAs MMIC制作中的通孔工艺问题 |
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| 引用本文： | 刘立浩,杨瑞霞,王同祥,张雄文,周瑞. 使用SEM分析GaAs MMIC制作中的通孔工艺问题[J]. 电子显微学报, 2002, 21(5): 788-789 |
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| 作者姓名： | 刘立浩 杨瑞霞 王同祥 张雄文 周瑞 |
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| 作者单位： | 1. 河北工业大学信息学院,天津,300130
2. 电子十三所,河北,石家庄,050051 |
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| 摘 要： | 背面通孔是ＧａＡｓＭＭＩＣ制造工艺中的一个重要步骤。通路孔在接地灵活性和减少接地电感方面比其它接地方法更具优越性[1] 。背面通孔的形貌和大小将会对后面的工艺产生很大的影响。因此 ,使用ＳＥＭ对背面通孔工艺进行研究变得尤为重要。样品制备样品正面用高温蜡粘在蓝宝石衬底上 ,背面蒸30 0ｎｍ的镍 ,作为掩膜。背面通孔在ＰｌａｓｍａＴｈｅｒｍ790平板型ＲＩＥ中进行 ,通孔结束后 ,背面金属化 ,背面电镀。将样品从通孔的中间位置切开 ,用双面胶带纸将样品粘在特制的样品台上。样品制作好后 ,选择 15ｋＶ高压 ,在不同放大倍数下 ,用…
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| 关 键 词： | SEM GaAsMMIC 通孔工艺 制造工艺 背面通孔 扫描电镜 砷化镓微波功率场效应晶体管 |
Analysis of via hole process problem for GaAs MMIC fabrication using SEM |
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