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| 低阻Mo/WSi_x/GaAs复合难熔栅研究 | |
| 引用本文： | 王庆康,史常忻.低阻Mo/WSi_x/GaAs复合难熔栅研究[J].固体电子学研究与进展,1991,11(3):213-214. |
| 作者姓名： | 王庆康 史常忻 |
| 作者单位： | 上海交通大学微电子技术研究所 200030 (王庆康)，上海交通大学微电子技术研究所 200030(史常忻) |
| 摘 要： | W_5Si_3作为难熔栅金属材料,在高性能GaAs电路中已有良好应用.但W_5Si_3材料的电阻率为120μΩ·cm左右,在亚微米栅工艺中使栅电阻偏高,不利于降低器件噪声,特别是在MMIC电路中的应用.故必须寻求新的低电阻率的、与GaAs有良好肖特基接触特性的难熔金属栅材料.本文介绍一种低阻Mo/WSi_x复合难熔金属栅材料的特性及与GaAs的接触性能的研究结果.包括用粉末冶金靶制备WSi_x膜和复合膜Mo/WSi_x的制备. |
| 关 键 词： | 金属材料 WSi MOWSi 工艺粉末冶金 |
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