低噪声微波晶体管

研究和改进微波晶体管的关键是设计理论、制造技术以及在电路上的应用。就制造技术来讲,至今,围绕着杂质和图形尺寸的控制极限,已经制造出微波晶体管。因此,为获得较好的特性,必须改进某些制造技术。研制如上所述的性能优良的晶体管取决于多方面的进展:包括考虑片子处理的技术规范和研究对于外电路适用性的最佳设计。尤其是在片子处理方面,以杂质扩散为中心的技术改革,收效最大。本文描述了实现具有必要的杂质浓度的浅扩散层技术。达到上述目的的首要一条是采用砷发射极扩散,砷发射极扩散实际上消除了所谓的陷落效应。其次是表面处理,即去除作为基区的硼扩散层的表面异常层的一个方法,从而使浅结的稳定扩散成为可能。由于光刻技术的改进,已经实现了1微米的最小图形尺寸。使用钴-金制作电极。利用上述技术制造的晶体管可作6千兆赫下的低噪声放大(在6千兆赫下最小噪声系数NF_(min)=3.3分贝),其性能是如此的优良,以致在8千兆赫下晶体管仍能给出可用增益。另外,已经得到了表明其有良好可靠性的数据。