| 铋层状陶瓷的离子取代对介电性能的影响 |
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| 引用本文： | 杜慧玲,李莹,史翔. 铋层状陶瓷的离子取代对介电性能的影响[J]. 压电与声光, 2009, 31(2) |
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| 作者姓名： | 杜慧玲 李莹 史翔 |
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| 作者单位： | 西安科技大学,材料科学与工程学院,陕西,西安,710054 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金，西安应用材料创新基金，陕西省教育厅专项计划 |
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| 摘 要： | 利用固相反应法合成了Pb1-xSrxBi2Nb2O9(x=0～0.3)铋层状陶瓷,分析不同Sr2+引入量对Pb-Bi2Nb2O9(PBN)基陶瓷介电性能的影响.XRD分析表明Sr2+的引入仍保持PBN陶瓷单相结构.SEM结果显示Sr2+引入量的增加有助于晶粒尺寸的细化,晶粒尺寸趋于一致.随着Sr2+引入量的增加,居里温度从557℃减小至500℃,其峰值介电常数、峰值介电损耗均随之减小.引入x(Sr)=30%的样品表现出弥散相变特征,是由于Sr2+引入使得晶体结构中离子排列更加无序,出现极化行为不同的微区造成的.
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| 关 键 词： | 铋层状 晶胞常数 介电性能 弥散特征 |
Effect of Ion Substitution of PbBi2Nb2O9 Bismuth Layered Ceramics on the Dielectric Properties |
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| DU Hui-ling,LI Ying,SHI Xiang. Effect of Ion Substitution of PbBi2Nb2O9 Bismuth Layered Ceramics on the Dielectric Properties[J]. Piezoelectrics & Acoustooptics, 2009, 31(2) |
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| Authors: | DU Hui-ling LI Ying SHI Xiang |
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