| 一种亚微米垂直硅墙的刻蚀方法 |
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| 引用本文： | 汤玉生,蒋建飞.一种亚微米垂直硅墙的刻蚀方法[J].半导体学报,1989,10(2):158-160. |
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| 作者姓名： | 汤玉生 蒋建飞 |
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| 作者单位： | 上海交通大学LSI微细加工研究所
(汤玉生)，上海交通大学LSI微细加工研究所(蒋建飞) |
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| 摘 要： | 亚微米垂直硅墙的制备是垂直硅薄膜耦合约瑟夫逊结的关键工艺.本文作者在普通光刻设备基础上,开发了一种在〈100〉硅片上制备亚微米硅墙的刻蚀方法:首先用普通光刻手段刻出较宽的墙区;其次,对非墙区进行迭加注入掺杂;第三,杂质高温横向扩散,第四,掺杂选择性刻蚀;第五,高温氧化减薄.实验结果表明,这种方法可以获得墙宽为0.29μm,墙高为1μm左右的硅墙,而且还有一定的改进潜力.
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| 关 键 词： | 垂直硅墙 亚微米 刻蚀 选择性 |
A Method of Etching Submicron Vertical Silicon Screen |
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| Tang Yusheng/LSI Microfabrtcating Institute,Shanghai Jiao Tong UniversityJiang Jianfei/LSI Microfabrtcating Institute,Shanghai Jiao Tong University.A Method of Etching Submicron Vertical Silicon Screen[J].Chinese Journal of Semiconductors,1989,10(2):158-160. |
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| Authors: | Tang Yusheng/LSI Microfabrtcating Institute Shanghai Jiao Tong UniversityJiang Jianfei/LSI Microfabrtcating Institute Shanghai Jiao Tong University |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Vertical silicon screen Josephson junction coupled with silicon membrane Multi-implantation dope selective etch of doped district |
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