| 无机EL显示器件用高性能介电层的研究 |
| |
| 引用本文： | 肖田,林明通,徐毅,陈晨曦,陈国荣,杨云霞.无机EL显示器件用高性能介电层的研究[J].功能材料与器件学报,2006,12(2):99-102. |
| |
| 作者姓名： | 肖田 林明通 徐毅 陈晨曦 陈国荣 杨云霞 |
| |
| 作者单位： | 华东理工大学材料科学与工程学院,上海200237;上海广电电子股份有限公司,上海200081;华东理工大学材料科学与工程学院,上海200237;上海广电电子股份有限公司,上海200081 |
| |
| 摘 要： | 用rf和反应磁控溅射法成功制备了一种总厚度为530～730nm的SrTiO3/Ta2O5复合介电层,获得在500Hz下介电常数为48～73,反映介电损耗的参数ΔVy在0.06～0.15V之间,击穿场强为106～139MV/m,在0.05V/nm的电场下正、反向漏电流在10-9～10-7A/cm2之间,品质因子(εrεoEb)大于5μc/cm2.同时比较了SrTiO3/Ta2O5复合介电层和SrTiO3和Ta2O5单层薄膜的介电性能.把复合膜应用于以ZnS:Mn和Zn2Si0.5Ge0.5O4:Mn为发光材料的器件中,获得了适当的阈值电压和较高的亮度.
|
| 关 键 词： | 无机EL SrTiO3薄膜 Ta2O5薄膜 SrTiO3/Ta2O5复合膜 |
| 文章编号： | 1007-4252（2006）02-0099-04 |
| 收稿时间： | 2005-05-31 |
| 修稿时间： | 2005-05-312005-07-05 |
High performance dielectric layer for inorganic thin film electroluminescent devices |
| |
| XIAO Tian,LIN Ming-tong,Xu Yi,CHEN Chen-xi,CHEN Guo-rong,YANG Yun-xia.High performance dielectric layer for inorganic thin film electroluminescent devices[J].Journal of Functional Materials and Devices,2006,12(2):99-102. |
| |
| Authors: | XIAO Tian LIN Ming-tong Xu Yi CHEN Chen-xi CHEN Guo-rong YANG Yun-xia |
| |
| Affiliation: | 1. School of Materials Science and Engineering, East China University of Science and Technology, Shanghai 200237, China; 2. SVA Electron Co. Ltd. , Shanghai 200081, China |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | inorganic EL SrTiO3 thin film Ta2O5 thin film SrTiO3/Ta2O5 stacked layer |
| 本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录！ |
|
