| GaN基微米LED大注入条件下发光特性研究 |
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| 引用本文： | 王溯源,陶岳彬,陈志忠,俞锋,姜爽,张国义.GaN基微米LED大注入条件下发光特性研究[J].半导体光电,2012,33(5):641-644. |
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| 作者姓名： | 王溯源 陶岳彬 陈志忠 俞锋 姜爽 张国义 |
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| 作者单位： | 北京大学物理学院人工微结构和介观物理国家重点实验室,北京,100871;北京大学物理学院人工微结构和介观物理国家重点实验室,北京,100871;北京大学物理学院人工微结构和介观物理国家重点实验室,北京,100871;北京大学物理学院人工微结构和介观物理国家重点实验室,北京,100871;北京大学物理学院人工微结构和介观物理国家重点实验室,北京,100871;北京大学物理学院人工微结构和介观物理国家重点实验室,北京,100871 |
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| 基金项目： | 国家“973”计划项目(TG2011CB301905);国家自然科学基金项目(60876063,61076012) |
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| 摘 要： | 利用变注入强度的电致发光(EL)测试和数值模拟方法研究了微米LED大注入条件下的发光特性。EL测试结果显示,微米LED(10μm)在工作电流密度高达16kA/cm2时光功率密度输出未饱和,同时不存在明显的由于自热效应引起的发光波长红移。和300μm LED相比,相同注入水平下,10μm LED的EL峰值波长相对蓝移,表明微米LED中存在应力弛豫,10μmLED相对300μm LED应力弛豫大了约23%。APYSY模拟发现,由于应力弛豫和良好的电流扩展,微米LED中电流分布和载流子浓度更加均匀,这种均匀的分布使得微米LED具有高的发光效率,同时能够承受高的电流密度。
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| 关 键 词： | GaN 微米LED 模拟 |
| 收稿时间： | 2012/4/16 0:00:00 |
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