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| 用MOCVD在InP衬底上生长的高性能GaAs MESFET | |
| 摘 要： | <正> 长波长光电集成电路(OEIC)的优点是成本低,可靠性高,改进性能后能适用于高比特率光纤通信系统。过去已报导过用InP材料可做出速度高达5Gbit/s的单片发射机OEIC和2Gbit/s的接收机OEIC。但是其集成度比GaAs基的OEIC低多了。原因是与GaAs工艺相比,InP基OEIC的器件工艺还很不成熟。最近,大家对异质外延的研究越来越广泛,异质外延的优点是;只要能控制不匹配材料的应变,就给最佳材料的选择增加了自由度。不少文献已报导过用MBE可在InP衬底上制作GaAs MESFET,它适合于长波长OEIC,得到的g_m高达170mS/mm,f_T为11 |
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