0.25μm高精度T型栅制作工艺研究 |
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引用本文: | 孙希国,崔玉兴,付兴昌.0.25μm高精度T型栅制作工艺研究[J].电子工艺技术,2015(4). |
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作者姓名: | 孙希国 崔玉兴 付兴昌 |
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作者单位: | 河北半导体研究所,河北 石家庄,050051 |
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摘 要: | 基于双层胶i线光刻工艺,对0.25μm T型栅制作技术进行了优化,采用Relacs工艺处理方法缩短了栅长,满足了栅长精度要求,通过工艺优化解决了双层胶之间不同胶层间的互溶问题。通过优化制作流程,形成了工艺规范,解决了工艺中存在的一致性及稳定性差的问题,最终采用双层胶工艺制作成功形貌良好的0.25μm高精度T型栅。工艺优化结果表明,与其他0.25μm T型栅制作工艺方法相比,双层胶i线光刻工艺具有制作效率高和精度高的优点,基于其制作的T型栅结构有利于金属淀积和剥离,栅根及栅帽形貌良好,为GaAs及GaN 微波器件及MMIC制作提供了可靠的工艺技术。
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关 键 词: | 双层胶 i线 Relacs工艺 光刻 T型栅 |
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