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| 兼有离子注入GaAs集成电路的集成量子阱激光发射机 | |
| 引用本文： | C.S.HONG ,蒋涛.兼有离子注入GaAs集成电路的集成量子阱激光发射机[J].半导体光电,1985(3). |
| 作者姓名： | C.S.HONG 蒋涛 |
| 摘 要： | 叙述了由用MOCVD生长的量子阱激光器和离子注入金属—半导体场效应晶体管(MESFET)组成的集成光电子发射机的制作。发射机的性能是:激光器的阈值电流为30mA,微分量子效率50%,MES FET跨导为60mS/mm,工作频率高达2GHz。 |
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