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| 用多孔硅作牺牲层制备硅基电容式微传声器 | |
| 作者姓名： | 宁瑾 刘焕章 葛永才 刘忠立 |
| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所微电子中心，北京100083 |
| 摘 要： | 提出了一种新的硅基电容式微传声器的制备方法，即采用多孔硅牺牲层技术制备声学孔，采用聚酰亚胺膜作声学振膜，采用该方法制备出的电容式微传声器器件，开路灵敏度为107．8dB，在400～10kHz之间，频率响应较为平坦，可以实现语音通信。 |
| 关 键 词： | 硅基电容式微传声器 多孔硅 牺牲层 聚酰亚胺 |
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