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| 用于大面积LCD的高迁移率多晶硅TFT的低温制备 | |
| 引用本文： | 周华.用于大面积LCD的高迁移率多晶硅TFT的低温制备[J].液晶与显示,1989(6). |
| 作者姓名： | 周华 |
| 摘 要： | 作者报导了一种新的低温制备工艺,采用这种工艺可以制备出高迁移率的多晶硅薄膜晶体管,它的主要特点是使用了溅射硅膜,而后是激光辐照和溅射沉积SiO_2膜.多晶硅薄膜晶体管的迁移率达350cm~2/V·s。这种薄膜晶体管可以有效地用于大面积液晶显示器的周边电 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |
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