| 采用ICP干法刻蚀ITO提高GaN基LED的特性 |
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| 引用本文： | 孟丽丽,陈依新,马莉,刘自可,沈光地. 采用ICP干法刻蚀ITO提高GaN基LED的特性[J]. 半导体学报, 2011, 32(1): 014010-4 |
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| 作者姓名： | 孟丽丽 陈依新 马莉 刘自可 沈光地 |
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| 作者单位： | 光电子技术省部共建教育部重点实验室;光电子技术省部共建教育部重点实验室;光电子技术省部共建教育部重点实验室（北京工业大学）;光电子技术省部共建教育部重点实验室;光电子技术省部共建教育部重点实验室 |
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| 摘 要： | 针对常规双电极蓝宝石衬底GaN基LED，为了提高出光效率，在P-GaN表面生长一层ITO作为电流扩展层和增透膜。但是，在腐蚀ITO的过程中，经常会遇到ITO被侧向腐蚀的问题。本文中，通过湿法腐蚀得到的ITO薄膜大概被腐蚀掉6.43%～1/3的面积。这个问题可以通过ICP干法刻蚀来解决，ICP干法刻蚀能很好的改善ITO侧向腐蚀，并且工艺简单，能很好的改善LED器件的特性。得到的ITO薄膜边缘陡峭，面积完整，相较于湿法腐蚀ITO，在工作中ICP干法刻蚀ITO的LED，发光面积最少能提高6.43%，光强最高能提高45.9%。
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| 关 键 词： | ITO薄膜 发光二极管 干法刻蚀 GaN ICP 性能 电感耦合等离子体 ITO膜 |
| 收稿时间： | 2010-05-05 |
| 修稿时间： | 2010-09-08 |
ICP dry etching ITO to improve the performance of GaN-based LEDs |
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| Meng Lili,Chen Yixin,Ma Li,Liu Zike and Shen Guangdi. ICP dry etching ITO to improve the performance of GaN-based LEDs[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2011, 32(1): 014010-4 |
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| Authors: | Meng Lili Chen Yixin Ma Li Liu Zike Shen Guangdi |
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| Affiliation: | Key Laboratory of Opto-Electronics Technology of the Ministry of Education, Beijing University of Technology, Beijing 100124, China;Key Laboratory of Opto-Electronics Technology of the Ministry of Education, Beijing University of Technology, Beijing 100124, China;Key Laboratory of Opto-Electronics Technology of the Ministry of Education, Beijing University of Technology, Beijing 100124, China;Key Laboratory of Opto-Electronics Technology of the Ministry of Education, Beijing University of Technology, Beijing 100124, China;Key Laboratory of Opto-Electronics Technology of the Ministry of Education, Beijing University of Technology, Beijing 100124, China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | ITO lateral corrosion dry etching light extraction efficiency |
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