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| 量子阱半导体激光器发展动态 | |
| 作者姓名： | 孙再吉 |
| 作者单位： | 电子部第５５研究所 |
| 摘 要： | 综述了近几年来国外在量子阱半导体激光器方面的开发现状，着重阐述了在提高器件性能方面获得低阈值电流，降低α参数和线宽的重要性。 |
| 关 键 词： | 量子阱激光器 低阈值电流 大功率 半导体激光器 |
| 本文献已被 CNKI 维普 等数据库收录！ | |
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