| 磁控溅射的TaN薄膜的扩散阻挡性能 |
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| 引用本文： | 张丛春,刘兴刚,石金川,杨春生.磁控溅射的TaN薄膜的扩散阻挡性能[J].半导体技术,2008,33(1):73-76. |
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| 作者姓名： | 张丛春 刘兴刚 石金川 杨春生 |
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| 作者单位： | 上海交通大学,微纳科学技术研究院,微米/纳米加工技术国家级重点实验薄膜与微细技术,教育部重点实验室,上海,200030;上海交通大学,微纳科学技术研究院,微米/纳米加工技术国家级重点实验薄膜与微细技术,教育部重点实验室,上海,200030;上海交通大学,微纳科学技术研究院,微米/纳米加工技术国家级重点实验薄膜与微细技术,教育部重点实验室,上海,200030;上海交通大学,微纳科学技术研究院,微米/纳米加工技术国家级重点实验薄膜与微细技术,教育部重点实验室,上海,200030 |
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| 基金项目： | 微米纳米加工技术国家级重点实验室基金
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上海市纳米科技专项基金
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上海市AM基金 |
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| 摘 要： | 用反应磁控溅射方法在SiO2/Si(100)衬底和Cu薄膜间溅射一层TaN阻挡层,测试不同N气分压及热处理温度下Cu/TaN/SiO2/Si薄膜的显微结构和电阻特性.同时利用微细加工技术加工了镂空的Cu互连叉指测试结构,研究了TaN薄膜在镂空的铜互连结构中的扩散阻挡性能.结果发现,在退火温度不超过400 ℃时,薄膜电阻率均低于80μΩ·cm,而当溅射N分压超过10%,退火温度超过400℃时,薄膜电阻率很快上升.低N气分压下(≤10%)溅射时,即使退火温度达到600 ℃,薄膜电阻基本不变.
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| 关 键 词： | 铜互连 TaN阻挡层 磁控溅射 热稳定性 |
| 文章编号： | 1003-353X（2008）01-0073-04 |
| 收稿时间： | 2007-07-24 |
| 修稿时间： | 2007年7月24日 |
Performance of RF Sputtering Deposited TaN as the Diffusion Barrier of Cu Interconnection |
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| Zhang Congchun,Liu Xinggang,Shi Jinchuan,Yang Chunsheng.Performance of RF Sputtering Deposited TaN as the Diffusion Barrier of Cu Interconnection[J].Semiconductor Technology,2008,33(1):73-76. |
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| Authors: | Zhang Congchun Liu Xinggang Shi Jinchuan Yang Chunsheng |
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| Affiliation: | Zhang Congchun,Liu Xinggang,Shi Jinchuan,Yang Chunsheng(National Key Lab.of Micro/Nano Fabrication Technology,Key Laboratory for Thin Film ,Microfabrication Technology of Ministry of Education,Research Institute of Micro/Nano Science , Technology,Shanghai Jiao Tong University,Shanghai 200030,China) |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Cu interconnect TaN barrier RF sputtering thermal stability |
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